HKTQ80N03

  N型功率MOSFET（N沟道增强型功率MOSFET）的作业原理是根据金属-氧化物-半导体结构，经过栅极电压操控源极与漏极之间的导电沟道构成与消失，完成电流的导通与截止。 当栅极电压为零时，漏源极间加正电

  格创东智新一代N2 Purge Stocker助力半导体高洁净度存储，打造国产存储生命线

  近来，格创东智多台 N2 Purge Stocker 氮气填充晶圆存储立库在国内某头部 12 吋晶圆厂成功上线运转。这一打破标志着国产 N2 Purge Stocker 已能满意逻辑芯片、存储产线

  工采网署理的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化使用供给一种双通道集成电机驱动计划。SS8812T有两路H桥驱动，每个H桥可供给较大输出电流1.6A (在24V和Ta=25C恰当散热条件下)，可驱动两个刷式直流电机，或许一个双极步进电机，或许螺线管或许其它理性负载

  Redmi K80强悍新装备流出：或将是Redmi史上最强悍的高端旗舰！

  文｜明美无限 如果说每年6、7、8月份是智能手机职业的“冷季”，那鄙人半年的9、10、11月份则能够称作为智能手机职业的“旺季”。跟着高通年度旗舰芯片的发布接近，各家高端旗舰机型与功能产品也均在跃跃欲试

  专为分布式光伏测验而生－－ITECH艾德克斯IT－N2100系列太阳能阵列模仿器新品上市

  5月26日，艾德克斯针对分布式光伏组件的测验，如微逆变器、功率优化器的测验，正式对外发布了高速太阳能阵列模仿器IT－N2100系列。从此，一台模仿器既可高速高精度模仿百瓦内的光伏电池板IV曲线，又可掩盖现在较大功率、较大电流的组件级光伏微逆变器或优化器的测验，对很多职业新进者无疑是一大利好

  四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强形式- MGZ31N65

  氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体资料，是第三代半导体资料的典型代表, 研发微电子器材、光电子器材的新型资料。氮化镓技能及工业链现已开始构成，相关器材加快速度进行开展。第三代半导体氮化镓工业规模包括氮化镓单晶衬底、半导体器材芯片规划、制作、封测以及芯片等首要使用场景